化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜
化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的---有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见（比如制备 w、mo、pt、ir 等）以及个别的化合物单晶薄膜（例如铁酸镍薄膜、钇铁石榴石薄膜、钴铁氧体薄膜等）。
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，等离子化学气相沉积设备，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸ф340mm×160mm；
3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20pa；
9. 气路设有匀气系统，等离子化学气相沉积设备多少钱，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。
气体：---气/氧气/四---碳/六---硫
12. 刻蚀速率
sio2：***0.5μm/min
si：***1μm/min
光刻胶：***1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（φ4英寸范围内）
优于±6%（φ6英寸范围内）
14. 选择比
cf4的选择比为50，
化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、sio2以及 si3n4等等。此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。
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