化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜:
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代,微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料,这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、sio2以及 si3n4等等。此外,也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料,气相化学沉积设备价格,例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。
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化学气相沉积过程中有化学反应,多种材料相互反应,生成新的的材料。
物理气相沉积中没有化学反应,材料只是形态有改变。
物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境---,无污染,耗材少,气相化学沉积设备公司,成膜均匀致密,气相化学沉积设备,与基体的结合力强。
化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好
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原理是在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方,吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击,结合键断裂成为活性粒子,化学反应生成固态膜。沉积时,基体可加热,气相化学沉积设备,亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运,气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有:放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可---降低反应温度,已用于多种薄膜材料的制备。
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