气相化学沉积设备报价-气相化学沉积设备-沈阳鹏程公司

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，气相化学沉积设备报价，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶---的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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化学气相沉积法简介

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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响，生成固态物质堆积在加热的固态基体外表，进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。

化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、---物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。现在，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。