进口化学气相沉积设备-沈阳鹏程真空技术

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    2020-11-24

董顺
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化学气相沉积的分类

化学气相沉积的方法很多,如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd,apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd,lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd,uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd,lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd,mocvd),等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced cvd,pecvd)等。

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化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜:

化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代,微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料,这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、sio2以及 si3n4等等。此外,也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料,例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。

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化学气相沉积法简介

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化学气相堆积(简称cvd)是反响物质在气态条件下发生化学反响,生成固态物质堆积在加热的固态基体外表,进而制得固体资料的工艺技术。它本质上归于原子领域的气态传质进程。

化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机资料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研发新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜资料。这些资料可所以氧化物、---物、氮化物、碳化物,也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物,并且它们的物理功用能够通过气相掺杂的淀积进程准确操控。现在,化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。



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