pcvd工艺的具体流程如下：
(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。
(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，气相化学沉积设备，在表面张力的作用下，气相化学沉积设备公司，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。
(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过---挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。
(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。
(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸ф340mm×160mm；
3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。
气体：---气/氧气/四---碳/六---硫
12. 刻蚀速率
sio2：***0.5μm/min
si：***1μm/min
光刻胶：***1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（φ4英寸范围内）
优于±6%（φ6英寸范围内）
14. 选择比
cf4的选择比为50，
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pcvd与传统cvd技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度---10000k，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的cvd过程得以在低温下进行。
气相化学沉积设备多少钱-沈阳鹏程-气相化学沉积设备由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。沈阳鹏程真空技术有限责任公司位于沈阳市沈河区凌云街35号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前沈阳鹏程在成型设备中享有---的声誉。沈阳鹏程取得商盟，我们的服务和管理水平也达到了一个新的高度。沈阳鹏程全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。
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