原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，化学气相沉积设备厂家，基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方，吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击，结合键断裂成为活性粒子，化学反应生成固态膜。沉积时，基体可加热，亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运，气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有：放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可---降低反应温度，化学气相沉积设备公司，已用于多种薄膜材料的制备。
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该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（pecvd）工艺研发设备，用来在硅片上沉积siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.---真空度：≤6.67x10-4 pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7pa.l/s； 系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°c，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56mhz，功率500w，全自动匹配；
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路气体，共计使用7个流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层较好）。
）采用等离子和激光辅助技术可以---地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以---其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
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